| Summary: | Desenvolveu-se um processo para cálculo de faixas de energia aliando a aproximação de Células Unitárias Gigantes (LUC) e o método da Onda Plana Aumentada (APW) não muffin-tin. Os cálculos foram realizados para o diamante (2 átomos por célula) e silício (com 2 e 16 átomos por célula), usando a teoria de grupos para resolver o problema nos pontos de alta simetria da zona de Brillouin. Para o silício, com 16 átomos por célula primitiva, resultados satisfatórios foram obtidos a partir da utilização de 48 SAPWs na expansão da função de onda, o que representa um número bastante razoável neste tipo de cálculo. Nos estágios finais de desenvolvimento, o processo encontra-se em condições de ser aplicado no estudo de semi-condutores com impurezas (ou defeitos), sem a necessidade de grandes adaptações.
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A procedure to calculate energy bands, using the Large Unit Cells approximation (LUC) by non muffin-tin Augmented Plane Waves (APW), was developed. The calculations were performed for the diamond (with 2 atoms in the primitive cell) and the silicon (with 2 and 16 atoms in the cell). The group theory was used on the high symmetry points of the Brillouin zone. With only 48 symmetrized APWs, good results were obtained for silicon with 16 atoms in the primitive cell. This is a reasonable basis set for this sort of calculations. This procedure may be readily applied to study semiconductors with impurities or defects.
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