Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente ac...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2004
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/ |