Oscilações do nível do bismuto no limite de baixos números quânticos
Realizamos medidas das oscilações do nível de Fermi do bismuto observando as variações do potencial de contato em um monocristal. As medidas foram feitas em diferentes temperaturas, e com o campo magnético variando de 0 ~ 20 KG, na direção binária dos eixos cristalográficos. As oscilações observ...
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Universidade de São Paulo
1980
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ndltd-IBICT-oai-teses.usp.br-tde-26062015-1626232019-01-21T23:34:34Z Oscilações do nível do bismuto no limite de baixos números quânticos Oscillations of bismuth Fermi level in the low quantum numbers limit Mario Jairo Cazeca Jose Rezende Pereira Neto Armando Paduan Filho Paul Qualifik Física do estado sólido Solid state physics Realizamos medidas das oscilações do nível de Fermi do bismuto observando as variações do potencial de contato em um monocristal. As medidas foram feitas em diferentes temperaturas, e com o campo magnético variando de 0 ~ 20 KG, na direção binária dos eixos cristalográficos. As oscilações observadas nas curvas experimentais resultam da passagem dos níveis de Landau dos elétrons de massa efetiva leve pelo nível de Fermi. Oscilações menores também foram observadas num intervalo de 8 ~ 11 KG, que identificamos como sendo provenientes da passagem dos níveis de Landau dos buracos pelo níve1 de Fermi. A partir dos dados obtidos da curva experimental e usando o modelo V.P.D. (8), ajustamos uma curva teórica a partir da qual determinamos os parâmetros que caracterizam esse modelo. We have measured the Fermi level oscillations of bismuth by observing the contact potential variations of a monocrystal. The measurements were made at different temperatures, with applied magnetic field parallel to the binary direction of the crystallographic axes in the range 0 ~ 20 KG. The oscillations obtained from the experimental curves are the results of the passage of the Landau levels of the low effective mass electrons through the Fermi level. Small oscillations have also been observed within the range 8 ~ 11 KG which we identify as being due to the passage of the Landau levels of the holes through the Fermi level. From the data obtained from the experimental curve and by using the model V.P.D.(8), we fitted a theoretical curve from which we have determined the parameters that characterize this model. 1980-09-23 info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26062015-162623/ por info:eu-repo/semantics/openAccess Universidade de São Paulo Física USP BR reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP instname:Universidade de São Paulo instacron:USP |
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Realizamos medidas das oscilações do nível de Fermi do bismuto observando as variações do potencial de contato em um monocristal. As medidas foram feitas em diferentes temperaturas, e com o campo magnético variando de 0 ~ 20 KG, na direção binária dos eixos cristalográficos. As oscilações observadas nas curvas experimentais resultam da passagem dos níveis de Landau dos elétrons de massa efetiva leve pelo nível de Fermi. Oscilações menores também foram observadas num intervalo de 8 ~ 11 KG, que identificamos como sendo provenientes da passagem dos níveis de Landau dos buracos pelo níve1 de Fermi. A partir dos dados obtidos da curva experimental e usando o modelo V.P.D. (8), ajustamos uma curva teórica a partir da qual determinamos os parâmetros que caracterizam esse modelo.
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We have measured the Fermi level oscillations of bismuth by observing the contact potential variations of a monocrystal. The measurements were made at different temperatures, with applied magnetic field parallel to the binary direction of the crystallographic axes in the range 0 ~ 20 KG. The oscillations obtained from the experimental curves are the results of the passage of the Landau levels of the low effective mass electrons through the Fermi level. Small oscillations have also been observed within the range 8 ~ 11 KG which we identify as being due to the passage of the Landau levels of the holes through the Fermi level. From the data obtained from the experimental curve and by using the model V.P.D.(8), we fitted a theoretical curve from which we have determined the parameters that characterize this model.
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