Estrutura Eletrônica de Impurezas Simples e Complexas Envolvendo Átomos Leves em GaAs
Apresentamos cálculos de primeiros princípios da geometria atômica, energia de formação e estrutura eletrônica para as impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em GaAs (\'O IND. aS1\'\'N IND.As \'e \'N IND. Ga\'). Também estudamos a geometria atômica e est...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1997
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/ |