Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si.

Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si.

Neste trabalho foram fabricados e caracterizados eletricamente capacitores MOS com óxido de silício ultrafino (2,6 nm) com porta de silício policristalino (Si-poli) P+ e N+. Os capacitores MOS com porta de Si-poli dopados com boro tiveram a estrutura Si-poli/SiO2/Si previamente implantada com ni...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Cesar Augusto Alves de Souza
Other Authors: Sebastião Gomes dos Santos Filho
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2008
Subjects:
Capacitores MOS
Implantação Iônica
Nitrogênio
Óxidos de porta ultrafino
Gate dielectrics
MOS capacitor
Nitrogen
Silicon oxide
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/

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