Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Este trabalho apresenta o estudo da influência do tensionamento mecânico (strain) no efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em dispositivos SOI FinFETs de porta tripla com e sem crescimento seletivo epitaxial. Também é analisada a influência do uso de crescimento seletivo e...

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Bibliographic Details
Main Author: Sara Dereste dos Santos
Other Authors: João Antonio Martino
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2010
Subjects:
Canal tensionado
Crescimento seletivo epitaxial
Efeito de DIBL
FinFETs
Múltiplas portas
Tecnologia SOI
DIBL effect
Multiple-gates
Selective epitaxial growth
SOI technology
Strained channel
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/

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