Estados superficiais em sistemas quase-bidimensionais
Neste trabalho estudamos o efeito da rugosidade da interface isolante-semicondutor, sobre a energia do estado fundamental do elétron ligado a uma impureza ionizada, situada próxima desta interface, para um sistema MOSFET de SiO2-Si [001]. Para impurezas doadoras situadas no Si, a energia de liga...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1980
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-04032015-210004/ |