Propriedades eletrônicas de nanofios de SI-GE com sequenciamento de Fibonacci e radômico

• Main Author: CORTEZ, André Hadad
• Other Authors: AZEVEDO, David Lima
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: Universidade Federal do Maranhão 2017
• Subjects: Nanofios; Finonacci; Fractalidade; Ab initio; Nanowires; Fractality; Física da Matéria Condensada
• Online Access: http://tedebc.ufma.br:8080/jspui/handle/tede/1857

Submitted by Rosivalda Pereira ([e-mail]) on 2017-08-23T17:31:16Z No. of bitstreams: 1 AndreCortez.pdf: 8621619 bytes, checksum: a2c58769de7cc646bd6e13cee7259a78 (MD5) === Made available in DSpace on 2017-08-23T17:31:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AndreCortez.pdf: 8621619 bytes, checksum: a2c58769de7cc646bd6e13cee7259a78 (MD5) Previous issue date: 2012-01-28 === Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) === In this work we address a theoretical calculation of the electronic spectra in Si-Ge atomic chain that is arranged in a Fibonacci quasi-periodic sequence, by using semi-empirical quantum method based on Hückel extended model. We apply the Fibonacci substitutional sequences in the atomic building blocks A(Si) and B(Ge) through the in ation rule or recursion relation. In our ab initio calculations we use only a single point which is the sufi cient condition to consider all the orbitals and charge distribution across the entire system. Although the calculations presented here are more complete than the models adopted in the literature which take into account the electronic interaction, up to the second and third neighbors, an interesting property remains in their electronic spectra: the fractality (which is the main signature of this kind of system). We discuss this fractality of the spectra and we compare them with the randomic arrangement of Si-Ge atomic chain, and with previous results based on the tight-binding approximation of Schorödinger equation considering until the nearest neighbor. === Neste trabalho abordamos um cálculo teórico dos espectros eletrônicos em cadeia atômica de Si-Ge que é organizado em uma sequência Fibonacci quasi-periódica, usando o método semi-empírico com base no modelo quântico Hückel estendido. Nós aplicamos as sequências substitucional de Fibonacci nos blocos de construção atômica A(Si) e B(Ge) através da relação de recursão. Em nossos cálculos ab initio, usamos apenas um único ponto, que é a condição sufi ciente para considerar todos os orbitais e a distribuição de cargas em todo o sistema. Embora os cálculos apresentados aqui sejam mais completos do que os modelos adotados na literatura que levam em conta a interação eletrônica, até segundos e terceiros vizinhos, uma propriedade interessante permanece em seus espectros eletrônicos: a fractalidade (que é a assinatura principal deste tipo de sistema). Discutimos essa fractalidade dos espectros e as comparamos com os espectros de cadeia atômica randômica de Si-Ge, e, também, com os resultados prévios baseados na aproximação tight-binding da equação Schorödinger considerando até o vizinho mais próximo.