Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos/

Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos/

Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016.

Bibliographic Details
Main Author: Nascimento, A. S.
Other Authors: Giacomini, Renato Camargo
Language:Portuguese
Published: 2016
Subjects:
Transistores
Modelo analítico
Resistência parasitária
Online Access:https://doi.org/10.31414/EE.2016.T.128429
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spelling ndltd-IBICT-oai-sofia.fei.edu.br-perga-oai-1284292019-01-22T03:41:10Z Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos/ Nascimento, A. S. Giacomini, Renato Camargo Transistores Modelo analítico Resistência parasitária Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016. 2016 info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis https://doi.org/10.31414/EE.2016.T.128429 por Disponível também em versão on-line info:eu-repo/semantics/openAccess reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana instacron:FEI
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