Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

• Main Author: Marotta, Ana Maria Hildsdorf
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1975
• Subjects: Íons; Lasers semicondutores; Relatividade (Física)
• Online Access: MAROTTA, Ana Maria Hildsdorf. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende: aplicação ao InSb. 1975. 76 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278571>. Acesso em: 17 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571

Orientador: Nelson de Jesus Parada === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T21:21:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marotta_AnaMariaHildsdorf_M.pdf: 2760470 bytes, checksum: 63684d0f3c14306722eb728815eb936a (MD5) Previous issue date: 1975 === Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se como as correções relativísticas afetavam os resultados obtidos. Posteriormente, considerando-se aparte iônica da ligação do InSb, recalculou-se os níveis de energia partindo-se de íons de In- e Sb+. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade da introdução da ionicidade no cálculo do potencial cristalino, de correções à forma do potencial muffin-tin, bem como de um cálculo de níveis de energia autoconsistente === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física