Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE)

Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE)

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-22T12:06:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bettini_Jefferson_M.pdf: 2628507 bytes, checksum: 74c8119be7842fd41194505b8...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bettini, Jefferson
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1997
Subjects:
Epitaxia
Arsenieto de gálio
Online Access:BETTINI, Jefferson. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE). 1997. 77f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278441>. Acesso em: 22 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

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BETTINI, Jefferson. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE). 1997. 77f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278441>. Acesso em: 22 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

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