Estudo de relaxações ultra-rápidas em vidros dopados com CdTe

• Main Author: Rios, Jose Manuel Martin
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1993
• Subjects: Semicondutores dopados; Vidros
• Online Access: RIOS, Jose Manuel Martin. Estudo de relaxações ultra-rápidas em vidros dopados com CdTe. 1993. [139]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277960>. Acesso em: 18 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277960

Orientador: Hugo Luis Fragnito === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-18T10:16:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rios_JoseManuelMartin_D.pdf: 5597441 bytes, checksum: 949db523a7611725e658747f866c3895 (MD5) Previous issue date: 1993 === Resumo: Estudamos a dependência da taxa de recuperação da absorção com o tamanho em microcristalitos do semicondutor CdTe numa matriz vítrea. As amostras contém 1% de material semicondutor em seu volume, e os temperaturas de tratamento térmicos foram de 560 e 580 ºC para diferentes tempos de controle do tamanho dos microcristalitos. Sete amostras foram estudadas, tendo raios médios de microcristalitos variando entre 2.5 nm e 4.2 nm, e caracterizadas com medidas de absorção e luminescência cw. Observamos, uma recuperação completa da absorção na amostra tendo 2.5 nm em uma escala de tempo de 200 fs. Amostras com microcristalitos maiores apresentam tempos de recuperação maiores, enquanto que o espalhamento do estado 1P ocorre em menos que 150 fs. O experimento foi realizado utilizando-se um laser de corante do tipo "colliding pulse mode-locked" (CPM) com extração de pulsos de 60 fs centrados em 620 nm através da técnica de "cavity-dumping" === Abstract: We studied the size dependence of absorption bleaching recovery rate of CdTe microcrystallites embedded in a glass matrix. The samples contain 1% in volume of semiconducting material. Annealing the samples at a temperature between 560 and 580 ºC for different times controls the microcrystal size. Seven samples were studied, having average microcrystal radius ranging from 2.5 nm to 4.2 nm. and characterized with absorption and cw luminescence measurements. We observed full recovery of sample having 2.5 nm radius in a time scale of 200 fs. Larger microcrystals exhibit longer recovery times, while 1P scattering occurs in less than 150 fs. The experiment was done using a cavity-dumped colliding pulse mode-locked dye laser emitting 60 fs pulses at 620 nm === Doutorado === Física === Doutor em Ciências