Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

• Main Author: Weinketz, Sieghard
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1988
• Subjects: Lasers semicondutores
• Online Access: WEINKETZ, Sieghard. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas. 1988. 68f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277780>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780

Orientador: Francisco Carlos de Prince === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-16T17:36:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Weinketz_Sieghard_M.pdf: 685953 bytes, checksum: e7aac6db9525dc68d0b1662a640d22d4 (MD5) Previous issue date: 1988 === Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm. Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física