Líquido de elétron-buraco em GaS

• Main Author: Muribeca, Reinaldo do Amaral
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1980
• Subjects: Semicondutores; Luminescência; Radiação
• Online Access: MURIBECA, Reinaldo do Amaral. Líquido de elétron-buraco em GaS. 1980. 50 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277699>. Acesso em: 17 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277699

Orientador: Eliermes Arraes Meneses === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T18:43:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Muribeca_ReinaldodoAmaral_M.pdf: 838920 bytes, checksum: 64d08b24a3401769c828a97c1775ed92 (MD5) Previous issue date: 1980 === Resumo: Foram feitas medidas de fotoluminescência em regime de alto nível de excitação ótica e baixas temperaturas (< 10 K). O objetivo deste trabalho foi explicar o aparecimento de uma banda larga que domina o espectro quando se passa de baixo para alto nível de excitação. A intensidade desta banda depende fortemente da excitação. Quando se eleva a temperatura de 2 K até 10 k a tendência é recuperar-se o espectro com baixo nível de excitação (linhas discretas). A posição daquela nova banda independe da excitação, isto é, permanece constante. A interpretação mais coerente foi de que esta banda é proveniente da recombinação de um liquido de elétrons e buracos, processo já evidenciado em alguns semicondutores (Si, Ge, GaP, etc). Um ajuste de curvas experimental e teórica foi feito e extraímos alguns parâmetros do liquido de elétrons e buracos: concentração de portadores n, energia de "gap" renormalizada Eg, níveis de Fermi eeF e ehF, potencial químico m e energia de condensação f === Abstract: Photoluminescence measurements have been performed under high excitation levels and low temperatures (< 10K) condition. This work aims to explain the appearance of a broad band which dominates the spectrum, upon passing from a low into a high excitation level. Its intensity is highly dependent of the excitation. When temperature is rised from 2 K up to 10 K the trend is to recover the low excitation level spectrum (discrete), the position of the band being independent of the excitation, e.g., remains constant. The interpretation assumed is the one that considers this band originated from the recombination of a electron-hole drop (EHD), as observed in other semiconductors (Si, Ge, GaP, etc.). The best fitting has been made and allows the obtainance of some characteristic EHD parameters: carriers concentration, renormalized gap energy, Fermi levels, chemical potential and condensation energy === Mestrado === Física === Mestre em Física