Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" === Made available in DSpace on 2018-07-14T03:27:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Borba_GilvanLuiz_M.pdf: 1368389 bytes, checksum: 3e16933d51b7405c...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
[s.n.]
1984
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| Subjects: | |
| Online Access: | BORBA, Gilvan Luiz. Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga. 1984. 82f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277393>. Acesso em: 14 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393 |
| Summary: | Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" === Made available in DSpace on 2018-07-14T03:27:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1984 === Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X e elétrons obtidos com amostras de TTF-TCNQ e NbSe3, e resultados de medidas de ruído e condutividade elétrica anômala em TaS3.
O capitulo II descreve propriedades e características dos diodos luminescentes usados neste trabalho.
As experiências feitas são descritas e discutidas no capitulo III. Para estimar a amplitude das ondas de densidade de carga previstas para semicondutores excitados, mediu-se a intensidade de luminescência em função da posição para várias correntes de injeção, e estudou-se o comportamento diferencial dos perfis registrados. Estabeleceram-se limites superiores da ordem de 0.1 para a "profundidade de modulação" p de ondas de densidade de carga em GaAlAs e InGaAsP. Essas medidas foram dificultadas por problemas de deterioração rápida das amostras disponíveis === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física |
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