Semicondutor saturado

• Main Author: Reis, Fabio Gonçalves dos, 1945-
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1979
• Subjects: Semicondutores
• Online Access: REIS, Fabio Gonçalves dos. Semicondutor saturado. 1979. 104 f. Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277130>. Acesso em: 17 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277130

Orientador: R. Luzzi === Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T15:48:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FabioGoncalvesdos_D.pdf: 1285611 bytes, checksum: 3c89f393487bb14936809b38b2bd8bfd (MD5) Previous issue date: 1979 === Resumo: Este trabalho visa fundamentalmente o estudo da fase saturada em semicondutores em termos de um formalismo de quasi-partrculas. Para isto, começamos apresentando no parágrafo 1.1 a evolução dos fenômenos relacionados à excitação em semicondutores, no qual situamos a fase em estudo. A seguir, nos parágrafos ( 1.2 ) e ( 1.3 ) fazemos uma exposição teórica da formação dessa fase e introduzimos nesse formalismo a interação Coulombiana, tendo por objetivo analisar excitações de caráter coletivo no sistema., o que é feito no Cap.2. É mostrado que a característica fundamental do estado saturado está relacionado com o aparecimento de um gap em torno dos quasi-níveis de energia, que dependem da direção da luz incidente e do momento dos elétrons. O formalismo em termos de quasi-partículas é então montado e mostramos com isto que a fase saturada é uma fase estável. Com o intuito de entender os fenômenos termodinâmicos relacionados à fase satutada propomos no parágrafo ( 1.5 ) um cálculo de seu potencial termodinâmico. No Capítulo 2, levando em conta os efeitos de excitação coletiva, encontramos com a aproximação RPA a constante dielétrica da fase saturada. Como existe uma relação entre aparte Imaginária da constante dielétrica com a secção eficaz de espalhamento, pudemos obter uma confirmação da existência do gap, pois só haverá espalhamento quando a frequência é duas vezes o valor desse gap. No Capítulo 3 fazemos inicialmente uma revisão do efeito Josephson em supercondutores pelo método de pseudo-spin dado por Anderson e propomos uma generalização simples e direta para reobter os resultados dados por Josephson, quando mostrou a existência de uma super corrente numa função supercondutora. Estes resultados são adaptados em continuação para estudar a possibilidade de tunelamento em junção entre semi-condutor saturados === Abstract: Not informed. === Doutorado === Física === Doutor em Ciências