Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs

• Main Author: Pinheiro, Ernesto Sa
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1974
• Subjects: Lasers em física; Semicondutores
• Online Access: PINHEIRO, Ernesto Sa. Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs. 1974. 43 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277034>. Acesso em: 17 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277034

Orientador: Philippe Brosson === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T06:27:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pinheiro_ErnestoSa_M.pdf: 1198885 bytes, checksum: a60bee1babac7b401394436953bfb84a (MD5) Previous issue date: 1974 === Resumo: Neste trabalho estudamos em detalhe o comportamento da emissão espontânea em lasers de Arseneto de Gálio ( CaAs ). Este estudo compreendeu duas partes. Na primeira, parte explicamos a não saturação da emissão espontânea no lado de energia baixa da linha do laser, através de urn modelo que se baseava na hipótese de não equilíbrio térmico entre os e elétrons dentro da cauda ( tail ). Na segunda parte, estudamos a emissão espontânea durante e depois da excitação do laser por pulsos de corrente muito rápidos. Nossas medidas de decaimento da emissão espontânea para a corrente acima do limiar e para os estados de energia mais baixa ( na cauda ) mostraram duas constantes de tempo. P. Brosson, J. E. Ripper e N. B. Patel antes observaram Uma redução na intensidade da emissão espontânea em corrente um pouco acima do limiar, para os estados de energia alta da linha do laser e bem próximos desta linha. Este comportamento e as duas constantes de tempo observadas no decaimento da emissão espontânea, interpretamos a partir de um modelo baseado na suposição de não equilibrio térmico ( contrariamente ao que vinha sendo admitido até o presente ) entre os elétrons injetados na região p de um laser de semicondutor. Observamos tempos longos de termalização e de recombinação que aumentavam quando iamos em direção aos estados mais fundos na cauda. Esses tempos mostraram, portanto, uma dependência na energia: quanto mais baixa era a energia na cauda ( tail ) , mais longos eram os tempos de termalização e de recombinação. Observamos tempo longos de termalização mesmo para estados bem próximos e acima da linha do laser. Cálculos computacionais preliminares baseados no nosso modelo concordaram qualitativarnente com os resultados experimentais de medidas de decaimento. Entretanto, estes cálculos ainda estão sendo testados, e por essa razão apresentados aqui === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física