Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD
Orientador: Richard Landers === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T00:21:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morais_Jonder_M.pdf: 2560779 bytes, checksum: f0428c05db1c6217d816c87871dbca5d (MD5) Previo...
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ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2770202019-01-21T20:13:17Z Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD Morais, Jonder UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Landers, Richard, 1946- Landers, Richard Semicondutores Análise espectral Orientador: Richard Landers Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Made available in DSpace on 2018-07-14T00:21:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morais_Jonder_M.pdf: 2560779 bytes, checksum: f0428c05db1c6217d816c87871dbca5d (MD5) Previous issue date: 1991 Resumo: Neste trabalho propomos crescer e caracterizar estruturas semicondutoras do tipo GaAs/GalnAs e InP/GalnAs, tendo em vista o estudo das interfaces. As amostras foram crescidas por MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) a pressão atmosférica. e foram analisadas por Espectroscopia de Elétrons AUGER associada à erosão iônica. Foram feitas amostras onde empregou-se interrupções de crescimento ("growth interruptions") nas interfaces, com o objetivo de torna-las o mais abruptas possivel. Foram obtidos perfis em profundidade ( "depth profiles") destas amostras para estudar o comportamento das interfaces em função das interrupções. As análises AUGER também foram utilizadas para apontar eventuais problemas nos crescimentos. auxiliando desta forma na escolha da melhor geometria do reator. Também foram crescidos e analisados Super-redes (SL) e Poços quânticos múltiplos (MQW), bem como um dispositivo H.E.M.T. (high electron mobility transistor) Abstract: Not informed. Mestrado Física Mestre em Física 1991 2018-07-14T00:21:42Z 2018-07-14T00:21:42Z 1991-08-09T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis MORAIS, Jonder. Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD. 1991. [113]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277020>. Acesso em: 13 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277020 por info:eu-repo/semantics/openAccess [113]f. : il. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin Programa de Pós-Graduação em Física reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP |
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Orientador: Richard Landers === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T00:21:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1991 === Resumo: Neste trabalho propomos crescer e caracterizar estruturas semicondutoras do tipo GaAs/GalnAs e InP/GalnAs, tendo em vista o estudo das interfaces. As amostras foram crescidas por MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) a pressão atmosférica. e foram analisadas por Espectroscopia de Elétrons AUGER associada à erosão iônica.
Foram feitas amostras onde empregou-se interrupções de crescimento ("growth interruptions") nas interfaces, com o objetivo de torna-las o mais abruptas possivel. Foram obtidos perfis em profundidade ( "depth profiles") destas amostras para estudar o comportamento das interfaces em função das interrupções.
As análises AUGER também foram utilizadas para apontar eventuais problemas nos crescimentos. auxiliando desta forma na escolha da melhor geometria do reator.
Também foram crescidos e analisados Super-redes (SL) e Poços quânticos múltiplos (MQW), bem como um dispositivo H.E.M.T. (high electron mobility transistor) === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física |
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