Oxido de indio-estanho (ITO) : preparação e caracterização
Orientadores: Roberto T. Assumpção, Annette Gorenstein === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica === Made available in DSpace on 2018-07-18T16:10:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lourenco_Airton_M.pdf: 2652850 bytes, checksum: 428b5d8b58f5cddd02c...
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ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2651662019-01-21T20:20:17Z Oxido de indio-estanho (ITO) : preparação e caracterização Lourenço, Airton UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Gorenstein, Annette, 1953- Assumpção, Roberto de Toledo, 1954- Assumpção, Roberto T. Fantini, Marcia Carvalho Abreu Junior, Rubens Caram Índio (Química) Óxidos Microscopia eletrônica de varredura Orientadores: Roberto T. Assumpção, Annette Gorenstein Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica Made available in DSpace on 2018-07-18T16:10:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lourenco_Airton_M.pdf: 2652850 bytes, checksum: 428b5d8b58f5cddd02c0eb40d22d795e (MD5) Previous issue date: 1993 Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas (transmitância e refletância em função do comprimento de onda) , difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1.23x10-40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um) Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a function of wavelength), X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1.23x10-40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained. Mestrado Mestre em Engenharia Mecânica 1993 2018-07-18T16:10:25Z 2018-07-18T16:10:25Z 1993-08-27T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis LOURENÇO, Airton. Oxido de indio-estanho (ITO): preparação e caracterização. 1993. [102]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/265166>. Acesso em: 18 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/265166 por info:eu-repo/semantics/openAccess [102]f. : il. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Mecânica Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP |
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Previous issue date: 1993 === Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas (transmitância e refletância em função do comprimento de onda) , difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1.23x10-40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um) === Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a function of wavelength), X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1.23x10-40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained. === Mestrado === Mestre em Engenharia Mecânica |
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