Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planar

• Main Author: Moraes, Wilmar Bueno de, 1939-
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1975
• Subjects: Transistores; Semicondutores; Eletrônica
• Online Access: MORAES, Wilmar Bueno de. Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planar. 1975. 101 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260193>. Acesso em: 15 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260193

Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas === Made available in DSpace on 2018-07-16T02:56:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_WilmarBuenode_M.pdf: 1813100 bytes, checksum: 9363f4c9c781164885fb5eba49206d8c (MD5) Previous issue date: 1975 === Resumo: Neste trabalho apresentamos o projeto, a construção e a caracterização de um transistor de efeito de campo com estrutura MOS {metal-óxido-semicondutor}. Inicialmente é apresentada uma descrição dos diversos tipos de estrutura e dos processos viáveis, no momento, para a fabricação de TEC MOS. Adotando um modelo elétrico derivado de um modelo físico dos TEC MOS foram estabelecidos critérios para o dimensionam mento da estrutura de um transistor: a determinação de suas dimensões e características elétricas dos materiais envolvidos. Este modelo, por outro lado, nos permitiu relacionar à estrutura, os seguintes parâmetros elétricos mensuráveis: características elétricas intereletródicas, tensões de ruptura, tensão de transição, densidade de cargas na interface silicio-óxido, mobilidade das lacunas no canal, velocidade térmica das lacunas no canal, e resistências terminais da fonte e do dreno. Os transistores foram fabricados por meio da técnica planar em substratos de siliciocom orientações <111> e <100>, e resistividade com ordem de grandeza de 10 ohm cm; o óxido da porta foi crescido com oxigênio seco empregando-se passivação com fósforo para a diminuição de correntes de fuga. A porta foi protegida por meio de um diodo em paralelo com a mesma. Várias séries de transistores foram medidas obtendo-se como resultado que o processo de fabricação empregado foi satisfatório tanto quanto à qualidade como quanto à reprodutibilidade e que o modelo adotado é suficientemente preciso para ser usado no projeto e avaliação dos transistores de efeito de campo MOS com a estrutura utilizada === Abstract: Not informed === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica