Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs

• Main Author: Gonçalves, Jose Lino
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1993
• Subjects: Índio (Química); Semicondutores
• Online Access: GONÇALVES, Jose Lino. Recuperação de indio a partir ligas de metalicas de InP, InGaAs e InGaAs. 1993. [74] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259741>. Acesso em: 19 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259741

Orientador: Peter Jurgen Tatsch === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-19T09:53:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Goncalves_JoseLino_M.pdf: 3628330 bytes, checksum: 34e77e3fd5c0401e242c9d530d6dc8a0 (MD5) Previous issue date: 1993 === Resumo: o objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de um processo de reaproveitamento e purificação de índio a partir de soluções de InP, InGaAs e InGaAsP. Essas soluções são usadas como fonte para obtenção de camadas semicondutoras na confecção de dispositivos optoeletrônico. O processo consiste de duas etapas: a pré-purificação e a purificação num forno a vácuo, e uma terceira etapa opcional; puxamento de cristais pela técnica Czochralski. Todos os procedimentos adotados no processo de purificação estão descritos no Capítulo II. Na etapa de pré-purificação observou-se a formação de uma crosta na superfície. Esta crosta foi analisada por microsonda eletrônica e por difratometria de raio-x. Com o índio reaproveitado, fizemos vários crescimentos epitaxiais a partir da fase líquida para testar o seu grau de pureza. Foram feitas camadas de 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As sobre substrato de InP que foram caracterizadas quanto a espessura, morfologia; resistividade, concentração de portadores e mobilidade por efeito Hall. As análises das crostas, as condições e procedimentos adotados para o crescimento e a caracterização das camadas crescidas estão contidos no Capítulo III. No Capítulo IV apresentamos as conclusões do trabalho === Abstract: The objective of this research was that of developing a process in with one can purifity indium from a solutions of InP, InGaAs, InGaAsP. These solution were uses as a source for obtaining the semiconductor layer in the fabrication of opto-electronic devices. The process consists of two steps: those of prepurification and of purification in a vacuum oven. There also exists an optional step in which crystal is pulIed by the Czochralski method. AlI the the procedures adopted for described in chapter II. the processes of purification are In the step of prepurification we observed the formation of a crust on the surface. This crust was analised by electronic microscopy and X-ray diffractometry. From the purified indium we made several liquid phase epitaxial growths to test the degree of the purity of the indium. The layers of 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As obtained by epitaxial growth on the substrate of indium phosphide were characterized with respect to thickness and morphology and to resistivity, carrier concentration and Hall mobility. The analysis of the crusts, the conditions and procedures adopted for the growth and the characterization of the layers are given in chapter III. Chapter IV presents the conclusions of this research === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica