Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3100.pdf: 15486082 bytes, checksum: 5571e424d9aa0ed6b176f29ef78c25dc (MD5) Previous issue date: 2010-05-07 === Universidade Federal de Sao Carlos === In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resona...
Main Author: | Santos, Ednilson Carlos dos |
---|---|
Other Authors: | Gobato, Yara Galvão |
Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade Federal de São Carlos
2016
|
Subjects: | |
Online Access: | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027 |
Similar Items
-
Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs
by: Nóbrega, Jaldair Araújo e
Published: (2016) -
Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante
não-magnéticos tipo-n
by: Santos, Lara Fernandes dos
Published: (2016) -
Investigação de interfaces em heteroestruturas semicondutoras
by: Marquezini, Maria Valeria
Published: (1995) -
Manipulação de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
by: Santos, Lara Fernandes dos
Published: (2016) -
Dinâmica coerente de estados quânticos em nanoestruturas
semicondutoras acopladas
by: Borges, Halyne Silva
Published: (2016)