| Summary: | Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica === Made available in DSpace on 2012-10-20T17:31:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1
199272.pdf: 552182 bytes, checksum: a544d6cb611a37d14145c24b14fa691a (MD5) === Este trabalho apresenta análise dos efeitos da saturação da velocidade dos portadores e do campo elétrico transversal na corrente de dreno do transistor MOS, utilizando equacionamento e parâmetros físicos do modelo ACM (Advanced Compact MOSFET). É mostrada a influência da velocidade de saturação em parâmetros essenciais do transistor, como as transcondutâncias de porta e fonte, capacitâncias intrínsecas e freqüência de transição. São feitas comparações entre o modelo da saturação de velocidade utilizado em ACM e por outros autores. Diretrizes de projeto bem como a inclusão dos efeitos de saturação de velocidade numa ferramenta de projeto (MOSVIEW) desenvolvida recentemente para um caso específico de um amplificador de estágio simples são abordadas. Usando MOSVIEW é realizado um projeto de um amplificador para RF com ganho de 20dB, impedância de entrada de 50 W para operação em 2GHz utilizando tecnologia de integração de 100nm. Para comprovação do funcionamento do amplificador foram realizadas simulações computacionais utilizando o programa SMASH.
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