Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica

Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica

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O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme de dióxido de silício (SiO2) pode ser crescido termicamente sobre o SiC de mane...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Pitthan Filho, Eduardo
Other Authors: Stedile, Fernanda Chiarello
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2013
Subjects:
Dióxido de silício
Carbeto de silício
Mos
Microscopia de força atômica
Oxidação
Tratamento térmico
Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X
Deposição por sputtering
Silicon carbide
Silicon dioxide
Thermal oxidation
Sputtering deposition
MOS structure
Ion beam analyses
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/72590

Internet

http://hdl.handle.net/10183/72590

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