Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco
Neste trabalho, são discutidas as características de transistores de filmes finos (TFTs) nos quais nanopartículas de óxido de zinco (ZnO) são empregadas como material ativo na camada semicondutora. O crescimento contínuo do interesse por este componente está associado à busca pelo desenvolvimento da...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/179538 |