| Summary: | O foco desta tese de doutorado é o projeto de circuitos integrados banda larga para receptores que atedem múltiplas bandas e padrões. Durante este doutorado, três projetos foram desenvolvidos e são apresentados nesta tese: a especificação de um receptor banda-larga para sensoriamento de espectro, duas versões do projeto de um amplificador de ganho variável e baixo ruído, fabricado em 130 nm CMOS, e o projeto de um receptor high-IF banda larga, fabricado em 40 nm CMOS. As especificações do receptor de sensoriamento espectral visam a detecção de três sinais de banda larga: WRAN, WiMax e LTE. Estes são os principais sinais de banda larga dentro da banda de 50 MHz à 4 GHz. A band em questão, foi selecionada por estar, concomitantemente, superlotada e subutilizada. Após a definição das especificações do receptor, as especificações em nível de bloco também foram calculadas e verificadas através de simulações com modelos comportamentais dos circuitos. As especificações mostram que o receptor deve suportar sinais com diversos níveis de potência, o que motivou o projeto do amplificador de ganho variável de baixo ruído (LNVGA). O objetivo do LNVGA é permitir a recepção de sinais fortes e fracos. Seja atenuando o sinal, de modo a evitar a sua compressão nos blocos subsequentes, como o mixer, ou amplificando-o, de modo a reduzir a figura de ruído do sistema, o que aumenta a sua sensibilidade. Os LNVGAs fabricados são capazes de ajustar o ganho em até 45 dB em uma banda de 3 GHz Além disso, foi observada uma figura de ruído de até 3.4 dB. Em contraste com outros VGAs publicados, os LNVGAs propostos conseguem combinar grande capacidade de ajuste de ganho com uma figura de ruído satisfatoriamente baixa. Esta grande capacidade de se ajustar o ganho deve-se, parcialmente, ao balun ativo proposto neste projeto. Ambos os LNVGAs foram projetados em 130 nm CMOS com uma tensão de alimentação de 1.2 V. O projeto final é um receptor high-IF banda larga em 40 nm CMOS. Devido à evolução da tecnologia CMOS, receptores high-IF sem componentes externos são viáveis em nós abaixo de 65 nm. A principal vantagem destes receptores é a sua robustez, à DC-offset, ruído flicker e distorções de ordem par. As duas principais contribuições neste projeto são o transcondutor de baixo ruído (LTNA) e a modificação no filtro passa banda à capacitor chaveado (SC-BPF). O LNTA usa duplo cancelamento de ruído, garantindo uma baixa figura de ruído Sendo o mixer e o SC-BPF passivos, a impedância de saída do LNTA deve ser maior que a impedância de entrada desses blocos. Deste modo, incorporou-se um folded-cascode ao LNTA para aumentar a sua impedância de saída. O SC-BPF original foi modificado adicionando-se um par cruzado de transcondutores as entradas em fase (I) e em quadratura (Q). Estes transcondutores permitem o aumento do valor do fator de qualidade (Q-factor) do SC-BPF e, até mesmo, o seu controle, isso com um aumento mínimo no consumo de energia e na complexidade do projeto. O maior ganho de tensão alcançado pelo receptor é de 30 dB. Operando com o ganho máximo, figura de ruído do receptor é de 3.3 dB. O IIP3 mais alto em 1 GHz é -2.5 dBm, e o IIP2 máximo é de 35 dBm. O receptor e o gerador de clock drenam 25 mA de uma fonte de 0.9 V. Em comparação com o estado da arte, o nosso receptor tem a menor área. Além disso, o consumo de energia é pequeno e buscamos operar numa banda mais ampla de entrada de RF. === This thesis has been focused on the design of wideband circuits for multi-band/multistandard receivers. Three projects have been developed during this Ph.D. and are presented in this thesis: the required specifications of a wideband spectrum-sensing receiver, two versions of a 130 nm CMOS wideband low-noise variable gain amplifier, and a 40 nm CMOS wideband high-IF receiver. The specifications of the spectrum-sensing receiver aim for the detection of three wideband signals WRAN, WiMax, and LTE. These are the principal wideband signals within the band from 50 MHz to 4 GHz, which has been selected because it was very crowded but with plenty of underused spaces. After the definition of the receiver specifications, the block-level specifications have also been calculated and verified through behavioral model simulations. The specifications have shown that a multistandard receiver must cope with a large range of signal power, which motivated the design the low-noise variable gain amplifier (LNVGA). The purpose of the LNVGA is to allow for the reception of both strong and weak signals by either reducing their signal power to values that do not compress the following blocks, like the mixer, or increasing it so that the noise figure is reduced, which increases the receiver sensitivity. The two fabricated LNVGAs achieve a gain tuning range up to 45 dB within a bandwidth of 3 GHz in addition to a NF as low as 3.4 dB. In contrast to other published VGAs, the proposed LNVGAs are the only ones that achieve a large gain tuning range in combination with a reasonably low NF The large gain tuning range has been obtained thanks to the proposed low imbalance active balun. Both LNVGAs have been designed in 130 nm CMOS for a 1.2 V supply. The final design is a 40 nm CMOS wideband high-IF receiver. Due to the evolution of CMOS technology, receivers with a higher IF and without external components are feasible in CMOS nodes below 65 nm. The main advantage of those high-IF receivers is their robustness to DC offsets, flicker noise, and even-order distortion. The two main contributions of this design are the LTNA and the modified bandpass switchedcapacitor filter (SC-BPF). The LNTA uses a dual noise cancellation, which ensures a low noise figure. Since both the mixer and the SC-BPF are passive, the LTNA needs an output impedance higher than the input impedance of the following blocks. Hence, a folded-cascode has been merged into the LNTA to increase its output impedance. The original SC-BPF has been modified by adding cross-connected transconductors at the in-phase (I) and quadrature (Q) inputs. These cross-connected transconductors not only boost but also allow for a variation of the Q-factor of the SC-BPF with a minimum increase of power consumption and design complexity. The highest voltage gain achieved by the receiver is 30 dB. While operating at the maximum gain, the receiver noise figure is 3.3 dB. The highest IIP3 is -2.5 dBm, and the IIP2 is as high as 35 dBm. The receiver and clock generation circuitry drain together 25 mA from a 0.9 V power supply. In comparison to the state-of-the-art, our receiver has the smallest area in addition to the reduced power consumption, and it targets the largest RF band.
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