Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients
Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma vez que circuitos CMOS estão sujeitos às falhas transientes oriundas de radia...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | English |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/171361 |
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