Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients

Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients

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Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma vez que circuitos CMOS estão sujeitos às falhas transientes oriundas de radia...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Silva, Michele Gusson Vieira da
Other Authors: Wirth, Gilson Inacio
Format: Others
Language:English
Published: 2017
Subjects:
Microeletrônica
Cmos
CMOS
Single Event Transiente
Propagation Induced Pulse Broadening
Bias Temperature Instability
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/171361

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