Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability
Os avanços na microeletrônica contribuíram para a redução de tamanho do nó tecnológico, diminuindo a tensão de limiar e aumentando a freqüência de operação dos sistemas. Embora tenha resultado em ganhos positivos relacionados ao desempenho e ao consumo de energia dos circuitos VLSI, a miniaturização...
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Other Authors: | |
Format: | Others |
Language: | English |
Published: |
2017
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Subjects: | |
Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/169107 |
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