Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability

Os avanços na microeletrônica contribuíram para a redução de tamanho do nó tecnológico, diminuindo a tensão de limiar e aumentando a freqüência de operação dos sistemas. Embora tenha resultado em ganhos positivos relacionados ao desempenho e ao consumo de energia dos circuitos VLSI, a miniaturização...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Aguiar, Ygor Quadros de
Other Authors: Reis, Ricardo Augusto da Luz
Format: Others
Language:English
Published: 2017
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/169107