Investigação do potencial do poli (3- metiltiofeno) para uso em dispositivos fotovoltaicos e fotodetetores

• Main Author: Valaski, Rogério
• Other Authors: Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Física
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: 2017
• Subjects: Teses; Polimeros; Fisica
• Online Access: http://hdl.handle.net/1884/48847

Orientador: Ivo Alexandre Hummelgen === Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciênicias Exatas, Programa de Pós graduação em Física. Defesa: Curitiba, 28/02/2000 === Resumo: Nesta dissertação é investigado o potencial de dispositivos feitos com poli(3-metiltiofeno), PMET, para uso em células solares. Os dispositivos são feitos em estrutura sanduíche TO/PMET/Metal, onde TO é um filme fino de óxido de estanho. 0 TO é o contato transparente e os metais usados são alumínio e níquel. Inicialmente é feita a caracterização elétrica do PMET sobre TO. Em dispositivos TO/PMET/A1, a corrente é limitada por injeção termiônica e em dispositivos TO/PMET/Ni, a corrente é limitada por acúmulo de carga espacial. Os dispositivos TO/PMET/Ni exibem voltagens de circuito aberto de 0,056 V. Dispositivos TO/PPV/Metal, sendo usados alumínio e paládio, são analisados para fins de comparação. Dispositivos TO/PPV/Pd exibem fotocorrentes na ordem de nA, sem voltagem externa aplicada. Neste trabalho, são mostrados também alguns procedimentos que melhoram a qualidade dos filmes de TO, bem como, deixam sua produção mais rápida === Abstract: In this dissertation the potential of devices made with poly(3-methylthiophene), PMET, for use in solar cells, is investigated The devices are made in TO/PMET/Metal sandwich estructure, where TO is a tin oxide thin film. TO is the transparent contact and the metals used are aluminum and nickel. Initialy, the electrical characterization of PMET onto TO is made. In devices TO/PMET/A1 the current is limited by thermionic injection and in devices TO/PMET/Ni the current is limited by space-carge. The devices TO/PMET/Ni exhibit an open circuit voltage of 0.056 V. Devices TO/PPV/Metal, (metal: alumen and paladium) are analised for comparation. The TO/PPV/Pd devices exhibit fotocurrent in the order of nA without external applied voltage. In this work some procediments that improve the quality of the films of TO, as well as, allow his faster production, are showed