Espalhamento de raios-X em ilhas auto-construídas de InAs

• Main Author: Angelo Malachias de Souza
• Other Authors: Rogerio Magalhaes Paniago
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: Universidade Federal de Minas Gerais 2002
• Online Access: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-5KUH5M

=== In this work several structural and chemical properties of self-assembled InAs islands grown on GaAs(001) are studied using surface x-ray scattering with synchrotron radiation. The technique of x-ray diffraction under grazing incidence condition was employed to differentiate coherent and incoherent island in samples grown under different temperatures and with various coverages. We used a model of a strained pyramidal island to be able to interpret the x-ray results and correlate size and strainstate of these islands. The degree of GaAs interdiffusion in the islands was inferred from the variation of volume of the unit cell. The Poissons ratio of the two materials involved establishes a limit of tetragonal distortion for this material. Any variation in this distortion is associated with the presence of Ga inside the islands. === Este trabalho é um estudo de propriedades químicas e estruturais de ilhas de InAs crescidas sobre GaAs (001) utilizando resultados de espalhamento superficial de raios-X com radiação síncrotron. A técnica de difração de raios-X sob incidência rasante foi empregada para diferenciar ilhas coerentes e incoerentes em amostras crescidas a diferentes temperaturas e com coberturas variadas. Para isto foi feito um modelo de uma ilha piramidal deformada que permitiu correlacionar dimensões e estado de deformação das nanoestruturas no plano do substrato. O grau de interdifusão de GaAs proveniente do substrato foi obtido nas ilhas de maneira original, medindo-se diretamente a deformação volumétrica das células cristalinas. A razão de Poisson estabeleceu um limite elástico para a deformação tetragonal. Qualquer variação nesta deformação foi associada à presença de átomos de Ga nas ilhas.