GROWTH MODE TRANSITION FROM 2D TO 3D IN INAS ON GAAS ANALYZED BY PHOTOLUMINESCENCE
PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO === CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO === Este trabalho apresenta a caracterização por fotoluminescência de amostras com camadas de arseneto de índio depositadas em substratos de arseneto de gálio. O objetivo é estudar a...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO
2016
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| Online Access: | http://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=27483@1 http://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=27483@2 |
| Summary: | PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO === CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO === Este trabalho apresenta a caracterização por fotoluminescência de amostras
com camadas de arseneto de índio depositadas em substratos de arseneto de gálio.
O objetivo é estudar a transição entre os modos bidimensional e tridimensional no
crescimento epitaxial em reator MOVPE, com a formação de pontos quânticos autoorganizados
pelo método Stranski-Krastanov e a subsequente aplicação da técnica
de indium flush. São analisados espectros de fotoluminescência, simulações dos
níveis de energia, imagens de microscopia de força atômica e microscopia eletrônica
de transmissão para a obtenção de informações sobre densidade, tamanho,
uniformidade e energia das transições radiativas dos pontos quânticos. Imagens de
microscopia eletrônica de transmissão revelam a qualidade das interfaces e a
espessura das camadas. === This work presents the photoluminescence characterization of indium arsenide layers deposited on gallium arsenide substrates. The objective is to analyze the transition in growth mode, from two-dimensional to tri-dimensional in MOVPE, with the formation of self-assembled quantum dots by Stranski-Krastanov method and subsequent use of the indium flush technique. Photoluminescence spectra, quantum well and quantum dot simulations, atomic force microscopy and transmission electron microscopy images are analyzed in order to obtain information about quantum dot size, density, uniformity and electronic transitions. Transmission electron microscopy images reveal the interfaces quality and layers thicknesses. |
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