In-situ study of Ga2O3 thermal expansion and epitaxy by synchrotron based x-ray diffraction and reflection high-energy electron diffraction

In-situ study of Ga2O3 thermal expansion and epitaxy by synchrotron based x-ray diffraction and reflection high-energy electron diffraction

Diese Arbeit präsentiert eine umfassende in-situ Studie zur thermischen Ausdehnung von β-Ga2O3 im Temperaturbereich von Raumtemperatur (RT) bis 1200 K sowie zum Wachstum dünner Ga2O3 Schichten durch plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie (MBE). Hierfür kamen synchrotron-basierte hochauflösende R...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Cheng, Zongzhe
Other Authors: Riechert, Henning
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Humboldt-Universität zu Berlin 2019
Subjects:
Hochauflösende Röntgenbeugung
Molekularstrahlepitaxie,
Beugung hochenergetischer Elektronen bei Reflexion
thermische Ausdehnung
kinematische Näherung
transparente halbleitende Oxide
high-resolution x-ray diffraction
molecular beam epitaxy
reflection high-energy electron diffraction
thermal expansion
kinematic approximation
transparent semiconducting oxides
530 Physik
ddc:530
Online Access:http://edoc.hu-berlin.de/18452/21195
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/21195-5
http://dx.doi.org/10.18452/20403

Internet

http://edoc.hu-berlin.de/18452/21195
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/21195-5
http://dx.doi.org/10.18452/20403

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