Recombination dynamics in (In,Ga)N/GaN heterostructures: Influence of localization and crystal polarity

Recombination dynamics in (In,Ga)N/GaN heterostructures: Influence of localization and crystal polarity

(In,Ga)N/GaN-Leuchtdioden wurden vor mehr als 10 Jahren kommerzialisiert, dennoch ist das Verständnis über den Einfluss von Lokalisierung auf die Rekombinationsdynamik in den (In,Ga)N/GaN Quantengräben (QG) unvollständig. In dieser Arbeit nutzen wir die temperaturabhängige stationäre und zeitaufgelö...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Feix, Felix
Other Authors: Riechert, Henning
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Humboldt-Universität zu Berlin 2018
Subjects:
(In,Ga)N/GaN
Heterostrukturen
zeitaufgelöste Photolumineszenzspektroskopie
Lokalisierung
Potenzgesetzzerfall
individuelle Ladungsträger
Polarität
Diffusion
interne Quanteneffizienz
Monte Carlo
kurzperiodische Übergitter
Nanodrähte
heterostructures
localization
power law decay
individual charge carriers
polarity
diffusion
internal quantum efficiency
short-period superlattices
nanowires
time-resolved photoluminescence spectroscopy
530 Physik
UP 3150
ddc:530
Online Access:http://edoc.hu-berlin.de/18452/19884
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/19884-5
http://dx.doi.org/10.18452/19134

Internet

http://edoc.hu-berlin.de/18452/19884
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/19884-5
http://dx.doi.org/10.18452/19134

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