Structural Investigations of Thin Chromium Disilicide Films on Silicon
In der vorliegenden Arbeit wurden Röntgentechniken benutzt um die Struktur von dünnen (etwa 40 nm) CrSi2-Schichten, die unter UHV-Bedingungen mittels reaktive Koabscheidung und template-Verfahren auf Si(001) hergestellt wurden, zu charakterisieren. Die Ergebnisse wurden mit TEM-, SEM- und RBS-Unters...
Internet
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200500426http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200500426
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