Untersuchungen optischer Eigenschaften von porösen Strukturen auf der Basis von III-V-Halbleiterverbindungen

In der Arbeit wurden sowohl optische, als auch Schwingungs- und Struktur-Eigenschaften poröser Strukturen auf der Basis von n-GaP, n-GaAs und n-InP mit Hilfe der Raman- und FTIR- Spektroskopie untersucht. Speziell den in polaren Materialien auftretenden Fröhlich-Moden wurde dabei besondere Aufmerksa...

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Bibliographic Details
Main Author:	Sarua, Andrei
Other Authors:	TU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik
Format:	Doctoral Thesis
Language:	deu
Published:	Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek &quot;Georgius Agricola&quot; 2009
Subjects:	poröse Halbleiter III-V Halbleiter elektrochemisches Ätzen Raman FTIR SEM Halleffekt Effektive Medien Theorie effektive dielektrische Funktion ddc:530 rvk:UM 3300 rvk:UP 5110 rvk:UP 3050
Online Access:	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:105-5184793 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:105-5184793 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/1969/Physik_SaruaAndrei518479.pdf

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description	In der Arbeit wurden sowohl optische, als auch Schwingungs- und Struktur-Eigenschaften poröser Strukturen auf der Basis von n-GaP, n-GaAs und n-InP mit Hilfe der Raman- und FTIR- Spektroskopie untersucht. Speziell den in polaren Materialien auftretenden Fröhlich-Moden wurde dabei besondere Aufmerksamkeit gewidmet. Es wurden experimentelle Ergebnisse theoretischen Modellen auf der Basis der Effektiven Medien Theorie gegenübergestellt. Die Ergebnisse sollen helfen, Grundkenntnisse über die Eigenschaften poröser Halbleiterstrukturen zu gewinnen, um zum einen Anwendungsmöglichkeiten zu erschließen und zum anderen das theoretische Modell zur Beschreibung heterogener Medien zu vervollkommnen.
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Untersuchungen optischer Eigenschaften von porösen Strukturen auf der Basis von III-V-Halbleiterverbindungen

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