Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium

• Main Author: Klug, Jan N.
• Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
• Format: Doctoral Thesis
• Language: deu
• Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2012
• Subjects: Halbleiter; Silizium; Defekt; Ionenimplantation; Störstelle; Protonen; Helium; semiconductor; silicon; defect; ion implantation; center; proton; helium; ddc:620; ddc:621; ddc:537; Silicium; Implantation
• Online Access: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228; http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228; http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/8222/Dissertation_Jan_N_Klug.pdf; http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/8222/signatur.txt.asc

Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen. Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess. Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht.