Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängige...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
Universitätsbibliothek Chemnitz
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/8222/Dissertation_Jan_N_Klug.pdf http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/8222/signatur.txt.asc |
| Summary: | Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen.
Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess.
Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht. |
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