Abscheidung von SiC und SiC + Si auf Kohlenstoffsubstraten und deren chemische Oberflaechenmodifizierung
Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt. Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere. Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwis...
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ndltd-DRESDEN-oai-qucosa.de-bsz-ch1-1997004582013-01-07T19:54:45Z Abscheidung von SiC und SiC + Si auf Kohlenstoffsubstraten und deren chemische Oberflaechenmodifizierung Neuhaeuser, Jens Methyltrichlorsilan Coabscheidung von Si SiC Thermische CVD Nitridierung Oberflaechenmodifizierung Selektive Hochtemperaturreaktionen ddc:660 ddc:600 Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt. Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere. Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern gewonnen werden. In einem zweiten Schritt kann das coabgeschiedene Silicium durch eine thermische Nitridierung in Siliciumnitrid umgewandelt werden. Bei dieser Reaktion reagiert auch die Siliciumcarbidschicht zu Siliciumnitrid. Ueber den Umweg des Titanium-Einbaus in das SiC + Si-Schichtsystem - dabei bilden sich bei der Beschichtungstemperatur Titaniumsilicide - konnte eine Mischschicht angeboten werden, die das coabgeschiedene Silicium selektiv in Siliciumnitrid umwandelt. Universitätsbibliothek Chemnitz TU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften 1997-12-11 doc-type:doctoralThesis text/html text/plain text/plain application/postscript text/plain application/postscript text/plain application/postscript application/postscript application/zip http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700458 urn:nbn:de:bsz:ch1-199700458 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/top.html http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/19970045.txt http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap1_2a.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap3.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap4b.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap51_53.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap54a.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap6.ps http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4083/kap7_end.ps deu |
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Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt.
Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere.
Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern gewonnen werden.
In einem zweiten Schritt kann das coabgeschiedene Silicium durch eine thermische Nitridierung in Siliciumnitrid umgewandelt werden.
Bei dieser Reaktion reagiert auch die Siliciumcarbidschicht zu Siliciumnitrid.
Ueber den Umweg des Titanium-Einbaus in das SiC + Si-Schichtsystem - dabei bilden sich bei der Beschichtungstemperatur Titaniumsilicide - konnte eine Mischschicht angeboten werden, die das coabgeschiedene Silicium selektiv in Siliciumnitrid umwandelt. |
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