Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

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Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem, undotiertem ZnSe w...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Hellig, Kay
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften
Format: Others
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 1997
Subjects:
Defekte
Stoerstellen
tiefe Zentren
Deep Level Transient Spectroscopy
ZnSe
ddc:530
DLTS
Zinkselenid
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/bericht.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/bericht.ps
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/19970017.txt

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/bericht.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/bericht.ps
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4057/19970017.txt

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