Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen

• Main Author: Patzig-Klein, Sebastian
• Other Authors: TU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik
• Format: Doctoral Thesis
• Language: deu
• Published: Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola" 2010
• Subjects: Kristallines Silicium; Nasschemische Halbleiterätzverfahren; Nitrosylionen; Elektrochemisches Abtragen; Flusssäure; Salpetersäure; Nitrosylkation; crystalline silicon; wet chemical semiconductor etching processes; nitrosonium ions; electrochemical etching; hydrofluoric acid; nitric acid; ddc:540; rvk:VH 8021; rvk:ZM 7660; rvk:VE 7000
• Online Access: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-27118; http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-27118; http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/2711/Dissertation%20Sebastian%20Patzig-Klein.pdf

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder.