Wechselwirkung von Kupfer mit ausgedehnten Defekten in multikristallinem Silicium und Einfluss auf die Rekombinationseigenschaften

• Main Author: Kreßner-Kiel, Denise
• Other Authors: TU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik
• Format: Doctoral Thesis
• Language: deu
• Published: Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola" 2017
• Subjects: multikristallines Silicium; Silizium; Defekte; Rekombinationsaktivität; Versetzungen; Korngrenzen; Wechselwirkungen; Kupfer; multicrystalline silicon; defects; recombination activity; dislocations; grain boundaries; interactions; copper; ddc:540; Silicium; Polykristall; Gitterbaufehler; Versetzung <Kristallographie>; Korngrenze
• Online Access: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-229212; http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-229212; http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/22921/Dissertation_Kre%C3%9Fner-Kiel.pdf

Die Rekombinationsaktivität von Versetzungen und Korngrenzen in multikristallinem Silicium wird von Kupfer und anderen metallischen Verunreinigungen wie Eisen mitbestimmt. Das Hauptziel der Arbeit war es, die Verteilung von Kupfer und dessen Wirkung auf die Rekombinationsaktivität von Versetzungen und Korngrenzen genauer zu untersuchen. Dazu wurden optische und elektrische Untersuchungen an gezielt mit Metallen verunreinigten Modellmaterialien durchgeführt. Nicht alle Versetzungen sind rekombinationsaktiv. Es konnte gezeigt werden, dass der Anteil rekombinationsaktiver Versetzungen am Gesamtinventar und die Hintergrunddiffusionslänge von der Verunreinigung mit Metallen abhängig sind. Ergebnisse von Untersuchungen an Proben, die Diffusionsexperimenten unterzogen wurden, deuten auf unterschiedliches Ausscheidungsverhalten von Kupfer und Eisen hin sowie auf Wechselwirkungen mit Versetzungen und Korngrenzen, die mit der Diffusionstemperatur und den Abkühlbedingungen in Zusammenhang stehen.