Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik

Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik

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Diese Arbeit befasst sich mit Hochleistungsdioden aus den Halbleitermaterialen Silizium und Siliziumkarbid. Analysiert werden die statischen und dynamischen Schalteigenschaften. Bei den SiC-Bauelementen handelt es sich um unipolare Schottky-Dioden und bei den Silizium-Dioden um bipolare pin-Dioden....

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Felsl, Hans Peter
Other Authors: Lutz, Josef
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: 2010
Subjects:
info:eu-repo/classification/ddc/620
ddc:620
Diode
Leistungselektronik
Schaltverhalten
Schottky-Diode
Silicium
Siliciumcarbid
Abschaltverhalten
Filamentierung
Kommutierungsverhalten
Reverse Recovery
Stromfilament
Stromfilamentierung
Wärmekapazität
Wärmeleitung
bipolar diode
current filament
electro-thermal behavior
elektrothermisches Verhalten
negativ differential resistance
negativ differentielle Sperrcharakteristik
nichtlineare Dynamik
non linear dynamics
pin Diode
pin diode
schottky diode
silicon carbide
silicon diode
unipolar diode
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A19253
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A19253/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A19253/attachment/ATT-1/

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A19253
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A19253/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A19253/attachment/ATT-1/

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