Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

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Herstellung anwendungsbezogener SiO2- Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Bibliographic Details
Main Author: Schäfer, Toni
Other Authors: Mönch, Ingolf
Format: Dissertation
Language:German
Published: Leibniz-Institut für Festkörper und Werkstoffforschung Dresden 2006
Subjects:
info:eu-repo/classification/ddc/620
ddc:620
Anisotropie
Elektromigration
Fluidik
ICP
Lag
Passivierung
Photolithographie <Halbleitertechnologie>
Photoresist
Plasmaätzen
Polymere
Rasterelektronenmikroskop
Siliciumdioxid
Trench <Mikroelektronik>
CF4
CHF3
FIB
Plasmapolymer
RIE
RIE grass
Selektivität
bowing
differential charging
facetting
microtrenching
Ätzrate
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200600953
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18535
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-1/

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200600953
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18535
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-1/

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