L'interface semiconducteur/solution. Cas des semiconducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné Li<sub>x</sub>Ni<sub>1-x</sub>O
Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc
1987
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01069887 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/06/98/87/PDF/19801029-Bigot-JP.pdf |