Etude fondamentale des mécanismes physico-chimiques de gravure plasma basés sur les effets stériques et de diffusion. Comportements prévisionnels de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V par les halogènes : loi de similitude

L'objectif de ce travail porte sur la généralisation de la modélisation de la gravure du silicium dans les plasmas de fluor ou de chlore à celle de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V de structure cristalline de type diamant ou zinc-blende dans les plasmas d'halo...

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Bibliographic Details
Main Author: Phan, Thanh Long
Language:fra
Published: Université de Grenoble 2013
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01062182
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/06/21/82/PDF/37303_PHAN.pdf