Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D.

Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D.

Show other versions (1)

Ces dernières années ont vu l'émergence d'un nouveaux concept dans le domaine de la microélectronique pour répondre aux besoins grandissant en termes de performances et taille des puces et trouver une alternative au loi de Moore et de More than Moore qui atteignent leur limites. Il s'...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Brocard, Mélanie
Language:fra
Published: Université de Grenoble 2013
Subjects:
[SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other
[SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre
Vias traversant le silicium (TSV)
Circuit intégrés 3D
Couplage substrat
Modélisation électrique
Simulation électriques
Transistors MOS
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00954178
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/95/41/78/PDF/37448_BROCARD_2013_archivage.pdf

Similar Items

Similar Items