Imagerie tridimensionnelle nanométrique de matériaux et dispositifs à semi-conducteurs par tomographie électronique

• Main Author: Haberfehlner, Georg
• Language: fra
• Published: Université de Grenoble 2013
• Subjects: [PHYS:COND:CM_GEN] Physics/Condensed Matter/Other; [PHYS:COND:CM_GEN] Physique/Matière Condensée/Autre; Tomographie électronique; Semi-conducteurs; HAADF STEM; EFTEM; Nanofil; Reconstruction
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952978; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/95/29/78/PDF/36904_HABERFEHLNER_2013_archivage.pdf

Ces travaux de doctorat concernent le développement de la tomographie électronique appliquée à la nano-caractérisation tridimensionnelle de dispositifs à semi-conducteurs et de matériaux pour la micro et la nanoélectronique. Les contributions les plus significatives de ces travaux sont (i) l'exploration et l'application de différents modes de contraste en microscopie électronique à transmission (TEM) pour des applications spécifiques liées au semi-conducteurs et (ii) l'investigation de nouvelles pistes pour améliorer encore la résolution spatiale, en particulier en adaptant les schémas d'acquisition en tomographie. Le TEM en balayage (STEM), basé sur des mesures annulaires aux forts angles et en champ sombre (HAADF) a été mis en œuvre pour observer des dopants dont le numéro atomique est typiquement largement supérieur à celui de la matrice (en silicium), et nous avons combiné le TEM résolu en énergie (EFTEM) dans un régime de faible perte d'énergie des électrons avec les techniques de tomographie afin de reconstruire les spectres de perte d'énergie locaux, en chaque voxel. La tomographie double-axe a été expérimentalement mise en œuvre pour améliorer la résolution spatiale, et le potentiel de la tomographie à axe multiple a été démontré, grâce aux simulations. Enfin, des algorithmes de reconstruction basés sur la minimisation de la variation totale ont été appliqués à la tomographie électronique. Les analyses effectuées comprennent les transistors triple-grille, les nanofils III-V, les capacités à base de nanofils de silicium et le silicium sur-dopé au sélénium, un matériau utilisé pour des applications optoélectroniques.