Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique
La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l'oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches minces d'oxydes. L'utilisation de...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
INSA de Lyon
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/95/28/41/PDF/these.pdf |