Irradiation par des ions de grande énergie de semiconducteurs III-N (AlN, GaN, InN) : création de défauts ponctuels et étendus.
Les matériaux semiconducteurs III N (AlN, GaN, InN) présentent des propriétés intéressantes pour la micro et l'opto-électronique. Ils peuvent être soumis à différents types d'irradiation dans une large gamme d'énergie de projectile. Dans l'AlN, initialement considéré insensible a...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Caen
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00936879 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/93/68/79/PDF/Manuscrit_these_Mamour_SALL.pdf |